高剩余极化低矫顽场
低温逐层外延生长的最高Sc含量铁电AlScN薄膜，兼具高铁电极化与低矫顽场，为BEOL集成非易失存储与MEMS开辟新路径。
Li, Chao · Dirui, Wu · Cheng, Mingqiang · Chen, Weinan · Li, Jiangyu · Li, Changjian
Nano Letters 2025
矫顽场降低至约2.9 MV cm⁻¹，有利于降低器件开关电压，提高能效。
剩余极化超过160 μC cm⁻²，为铁电存储提供充分的极化对比度。
生长温度仅400 °C，满足BEOL热预算限制，可直接集成在CMOS后道。