高温高压低损耗
侧链引入三联噻吩，在提升介电常数的同时构建深陷阱抑制漏电，实现高温高场下的高效储能。
Bo, Li · Chenjun, Mei · Li, Weili · Tong, Hui · Tian, Hongkun · Wang, Li Xiang
Journal of Materials Chemistry A 2026
侧链三联噻吩形成0.91 eV深陷阱，捕获自由电荷，将150 °C下充放电效率提升至91%。
在700 MV m⁻¹和150 °C下实现8.50 J cm⁻³的放电能量密度，同时保持91%的效率。
深陷阱捕获自由电荷，有效抑制电子损耗，使得高场下仍保持高效率。