寡聚噻吩侧链无规共聚物

高温高压低损耗

侧链引入三联噻吩，在提升介电常数的同时构建深陷阱抑制漏电，实现高温高场下的高效储能。

Bo, Li · Chenjun, Mei · Li, Weili · Tong, Hui · Tian, Hongkun · Wang, Li Xiang

Journal of Materials Chemistry A 2026

具体参数

放电能量密度

{'zh': '8.50', 'en': '8.50'} J cm⁻³

充放电效率

{'zh': '91', 'en': '91'} %

放电能量密度

{'zh': '9.75', 'en': '9.75'} J cm⁻³

充放电效率

{'zh': '89', 'en': '89'} %

陷阱深度

{'zh': '0.91', 'en': '0.91'} eV

技术优势

高温高压下效率高

侧链三联噻吩形成0.91 eV深陷阱，捕获自由电荷，将150 °C下充放电效率提升至91%。

能量密度高

在700 MV m⁻¹和150 °C下实现8.50 J cm⁻³的放电能量密度，同时保持91%的效率。

损耗低

深陷阱捕获自由电荷，有效抑制电子损耗，使得高场下仍保持高效率。

应用场景

• 聚合物介电材料：提供高温高场下低损耗的基体材料，可替代现有高损耗聚合物介电材料。
• 电介质储能：直接用于制造高能量密度、高效率的储能电容器。
• 柔性储能器件：聚合物基体可溶液加工成柔性薄膜，用于柔性储能器件。