扭曲InGaN/GaN量子阱二极管

收发一体方向性发光

三维自扭曲结构带来方向选择性，发光与探测性能均有提升。

秦飞飞 · 75203868 · Wang, Xiaoxuan · Chunxiang, Guo · Jiaqi, Wu · Xuefeng, Fan · 姜明明 · Peng, Wan · 卢俊峰 · 王永进 · 朱刚毅

Chip 2024

参数信息

high

3 dB

技术优势

自发翘曲成三维结构

利用多层材料应变差异，平面部分承受更大压应力、悬臂梁部分应力更小，无需特殊工艺即可形成三维结构。

应用场景

• 可见光通信：利用方向选择性发射与探测，构建空间复用或方向调制的光通信链路。
• 氮化物光电器件：在同一氮化物平台上集成收发功能，减少分立器件占用面积。
• Micro-LED：作为微型光源，利用三维结构的方向性实现像素级光束控制。