电阻降96%，透光增5.8%
在750–1200 nm范围透光率进一步提升，室温电阻大幅下降，且相变温度降至213℃，多次弯折和温度循环后光学与电学性能保持稳定，适用于柔性半导体与光电集成器件。
李毅 · Weiye, He · Chang, Xue · Weiye, Peng · Hongwei, Liu · 王卫 · Zhangqing, Shi · Dai, Wenyan · Yuan, Zhen · Lin, Ke
Infrared Physics and Technology 2025
TiO2掺杂优化了薄膜的光学带隙和载流子浓度，使750–1200 nm最大透光率提升5.77%，更利于光电器件的透明窗口。
室温电阻较V2O5/PI膜降低96.4%，使薄膜在低功耗电路中作为柔性电极更有优势。
多次弯折后光学和电学性能保持稳定，可替代脆性ITO用于可弯曲器件，避免机械损伤导致的性能衰减。