外延IrMn/FeNi双层

纵向自旋态电读出

通过非常规自旋霍尔磁电阻，首次实现对纵向磁化状态的二端电学检测。

Haiming, Xu · 刘育 · Cao, Yang · 贾成龙 · 左亚路 · Hao, Wu · 朱涛 · 张俊卫 · 彭勇 · Shao, Dingfu · 于国强 · Liu, Xiaoxi · 薛德胜 · Chen, Jingsheng · 杨德正 · Cui, Baoshan · 席力

Physical Review Letters 2026

具体参数

自旋轨道矩效率

{'zh': '10', 'en': '10'} ×

技术优势

效率高一个量级

自旋轨道矩效率比已报道的Mn₃Pt和MnPd₃体系高一个数量级，晶格对称性使自旋流更强。

应用场景

• 磁性随机存储器：用二端器件直接读取磁化方向，简化存储单元结构，无需额外磁场或参考层。
• 自旋逻辑器件：利用纵向磁化状态作为逻辑输入，实现电学非易失逻辑运算，降低功耗。
• 自旋电子学：提供一种利用晶体对称性调控自旋极化的新途径，扩展自旋电子器件的设计自由度。