β-Ga2O3结势垒肖特基二极管

Wu, Feihong; Wang, Yuangang; Jian, Guangzhong; Xu, Guangwei; Zhou, Xuanze; Guo, Wei; Jiahong, Du; Liu, Qi; Dun, Shaobo; Yu, Zhaoan; Lv, Yuanjie; Feng, Zhihong; Shujun, Cai; Long, Shibing

β-Ga2O3结势垒肖特基二极管

导通5.1 A耐压1060 V

采用p-NiO异质结和斜面场板，实现高功率品质因数，并在混合倍压电路中展现出与SiC SBD相当的性能。

Wu, Feihong · Wang, Yuangang · Jian, Guangzhong · 徐光伟 · Zhou, Xuanze · 郭威 · Jiahong, Du · Liu, Qi · Dun, Shaobo · 余兆安 · Lv, Yuanjie · 冯志红 · Shujun, Cai · 龙世兵

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

具体参数

Forward current: 2 V
反向击穿电压: 1060 V
功率品质因数: 0.72 GW/cm2
反向恢复时间: 26.8 ns
电路效率: 约86.07 %