中心进液抛光碳化硅

高效低缺陷

中心进液设计同时实现高去除率和低表面缺陷,解决碳化硅抛光中效率与质量的矛盾。

Lei, Pengli · Ji, Baojian · Hou, Jing · Liu, Mincai · Deng, Wenhui · Fan, Fei · 王健 · 钟波

Micromachines 2026

技术优势

缺陷更少

中心进液抑制加工热,避免SiC颗粒因温度升高发生热力退化而脱落。

效率更高

中心进液使摩擦系数更大且稳定,确保抛光界面有足够的磨削作用。

抑制温升

在实现高效率的同时显著抑制加工热量,避免热损伤。

应用场景