双层3R相MoS₂薄膜

室温铁电极化可翻转

首次在CVD直接生长的非扭转双层3R相MoS₂中实现室温铁电开关，摆脱对人工扭转堆叠的依赖，为晶圆级集成铺路。

Jiang, Hanjun · 李磊 · Wu, Yao · Wu, Lishu · Zhu, Chao · Luo, Lei · Xu, Manzhang · 郑璐 · 甘雪涛 · 赵武 · 王学文 · Liu, Zheng

Advanced Materials 2024

具体参数

直接生长的双层

{'zh': '3', 'en': ''} R MoS

技术优势

器件呈可切换二极管效应

铁电性源于层间滑移