非晶氮化硼膜

低温可制备

该非晶氮化硼薄膜可在相对低温下通过磁控溅射生长，并以其为基础构筑了具有非对称肖特基结的自供电日盲紫外探测器。

Cheng, Wu · 吕佩文 · 朱昭捷 · Li, Jianfu · 涂朝阳 · 陈晨龙 · Lakshminarayana, Gandham · Hongyan, Wang · 王燕

Journal of Alloys and Compounds 2025

参数信息

响应度

6.4 μA/W

探测率

2.5 × 10^10 Jones

技术优势

低温就能做

采用磁控溅射技术在相对低温下沉积非晶BN薄膜，无需单晶生长的高温高压条件，降低了制备门槛。

不用外接电源

非对称肖特基结形成的内建电场使探测器在零偏压下即可工作，无需外部电源，简化设备结构并支持无线应用。

退火后更强

快速热退火进一步提高了探测器的光电性能，使器件响应度和探测率得到改善。

应用场景

• 自供电探测器：无需外部电源即可工作，适合无线监测场景。
• 紫外传感：利用非晶BN的高吸收系数实现日盲紫外探测。
• 免电源监测节点：自供电设计可省去电池，用于长期免维护监测节点。
• 日盲成像：日盲响应特性可用于抑制背景光的紫外成像。