电容耦合有源阻尼器

低压 MOSFET 可做

电压应力远低于主逆变器，降低开关损耗，无需昂贵 SiC-MOSFET 即可实现有源阻尼。

Zhou, Jiaxin · 黄允凯 · 彭飞 · 姚宇

IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024

参数信息

电机功率

3 kW

电机最高转速

12000 r/min

基波频率

1000 Hz

技术优势

无需额外电流传感器

只需采样逆变器电流即可满足工业应用中的反馈需求，避免添加传感器带来的成本与复杂度。

阻尼器电压应力远低于主逆变器

该控制方法显著降低阻尼器的电压应力，从而减少开关损耗，使低压 MOSFET 可行。

可用低压 MOSFET 替代 SiC-MOSFET

由于电压应力低，可以采用低成本低压 MOSFET 构建阻尼器，避免使用昂贵的 SiC-MOSFET。

控制器参数鲁棒性强

提出的系数选择方法对参数变化具有强鲁棒性，提高控制系统可靠性。

应用场景

• 高速电机驱动：在 LCL 滤波高速驱动中抑制谐振，无需额外传感器，适合工业集成。
• 功率逆变器：降低有源阻尼器的电压应力，使低压开关器件可用于逆变器阻尼支路。
• 电机控制：只反馈逆变器电流即可实现有源阻尼，简化电机驱动控制架构。