稀土GdIBr单层

260 K铁磁半导体

同时具有本征铁磁半导体特性和大谷极化，为自旋电子学和谷电子学融合提供材料基础。

安玉凯

Nanoscale 2023

具体参数

间接带隙

{'zh': '0.75', 'en': ''} eV

垂直磁矩

{'zh': '8', 'en': ''} μB/f

自旋谷极化

{'zh': '118', 'en': ''} meV

技术优势

居里温度260 K