Ho:CNGS压电晶体

高温电阻率高3个数量级

通过掺钬显著提升高温电阻率并稳定电弹性能,使振动传感器在室至600°C范围内灵敏度偏差小于5.2%。

王一鸣 · 刘学良 · Linyu, Bai · Cheng, Rui · Jiang, Chao · Yuzhen, Li · Junqi, Zhang · Hong, Chen · Yanlu, Li · 于法鹏 · 郭世义

Journal of Alloys and Compounds 2023

具体参数

灵敏度温度偏差
{'zh': '5.2', 'en': '5.2'} %
电阻率提升幅度(相对LGS)
{'zh': '3', 'en': '3'} orders of magnitude
电阻率提升幅度(相对CNGS)
{'zh': '1', 'en': '1'} order of magnitude

技术优势

电阻率高三倍

掺钬后ρ11比La3Ga5SiO14高三个数量级,比CNGS高一个数量级,高温下漏电流小,传感器信号更稳定。

高温性能稳定

传感器在80–315 Hz激励下,室温至600 °C的最大灵敏度温度偏差小于5.2%,适合严苛热环境。

低介电损耗

高温下介电损耗低,减少能量耗散,提高传感器灵敏度和信噪比。

电弹常数改善

与纯CNGS晶体相比,电弹常数有效提升,增大机电耦合和传感器响应。

应用场景