后阳极退火GaN太赫兹肖特基二极管

击穿电压提升57%

退火促进Ni/Au界面合金化并抑制界面态，使击穿电压从15.14 V提升至23.70 V，增强器件功率密度。

Yan, Ren · Ni, Yiqiang · Song, Xubo · Gu, Guodong · Lv, Yuanjie · Yu, Yongtao · Yinle, Li · Chao, Pang · 冯志红 · Shengze, Zhou · 刘红辉

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

具体参数

击穿电压从

15.14 V

技术优势

有效增强器件功率密度

显著抑制肖特基势垒不均匀性并降低界面态密度

沿台阶流方向排列的三角形金属簇抑制金属诱导界面态

适用于高功率太赫兹源