TiC增强碳化硅陶瓷

强度提升58%

以TiC为碳源，在反应烧结中形成TiSi2，将残余硅从26.41 vol%降至0.53 vol%，显著提升强度。

Taotao, Zhong · 雷丽文 · Ziqiang, Zhang · Dong, Hu · 张金咏

Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 2024

具体参数

抗弯强度

{'zh': '434.6', 'en': ''} MPa

残余硅从

{'zh': '26.41', 'en': ''} vol%

含量

{'zh': '25', 'en': ''} wt%