单管实现TCAM
利用铁电多态与双极特性，在单个FinFET上实现三元内容寻址功能，省去传统TCAM所需的多个晶体管。
Zhang, Zhaohao · Mao, Shujuan · 许高博 · Qingzhu, Zhang · Wu, Zhenhua · Yin, Huaxiang · 叶甜春
IEEE Transactions on Electron Devices 2023
利用铁电多态和双极特性，在单个器件上实现三元内容寻址功能，无需传统TCAM所需的多个晶体管。
采用先进CMOS工艺和金属源漏工程制备，与现有集成电路制造流程兼容，便于大规模集成。
匹配线电压与失配位数呈准线性关系，可用于在AI处理器中进行距离计算，提升能效。