调压增强自旋霍尔角α-Sn膜

自旋霍尔角增5倍

通过电场调控费米能级，这种α-Sn/Ag多层膜的电荷-自旋转换效率可大幅增强，为可控自旋电子器件提供新路径。

Zha, Xi · Lu, Qi · Jiaqiang, Liu · Liwen, Liang · 赵一凡 · Peng, Bing · 刘明

Applied Physics Letters 2024

具体参数

自旋霍尔角增强

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技术优势

调压增五倍

通过电场调节费米能级附近的应变，显著提高自旋霍尔角。

应用场景

• 自旋电子器件：提供电场可调的高效电荷-自旋转换层，降低功耗并提升速度。
• 磁随机存储器：作为SOT层可降低写入电流，提高MRAM单元能效。
• SOT-MRAM：直接用于SOT-MRAM的转换层，增强写入速度和可调性。
• 自旋逻辑：利用栅压调控自旋流，实现逻辑器件的动态重构。
• 自旋光子接口：提供电场调控的自旋注入源，优化光子耦合效率。