掺杂Sb₂S₃玻璃

大面积高灵敏X射线探测

为取代α-Se和CdTe提供高衰减、高电荷收集效率的廉价非晶半导体替代方案。

李东东 · Sui, Xin · Liu, Da · Wei, Zhanpeng · 李勤高 · 朱焱 · 侯宇 · 杨化桂 · Yang Shuang

Nano Letters 2025

参数信息

灵敏度

4397 μC Gy⁻¹ cm⁻²

检测限

66 nGy s⁻¹

迁移率-寿命积

5.6 × 10⁻⁵ cm² V⁻¹

带隙

1.66 eV

技术优势

灵敏度高、剂量低

探测器灵敏度达4397 μC Gy⁻¹ cm⁻²、检测限66 nGy s⁻¹，可在低剂量下获得清晰图像。

大面积成像可行

通过热蒸发在TFT背板上沉积薄膜，实现了高分辨X射线成像，工艺与现有平板探测器兼容。

非晶结构稳定

SnI₂掺杂修饰Sb-S网络并稳定非晶结构，避免晶界电荷捕获，提升电荷收集。

应用场景

• X射线探测器：替代α-Se/CdTe，实现低剂量高灵敏X射线探测。
• 医学影像：用于高分辨医学成像，降低患者辐射剂量。
• 工业无损检测：提供无损检测用大面积平板探测器。
• 光电探测器：利用高μτ积非晶半导体实现高效光电转换。