BPYBF₄改性PCBM层

同时抗腐蚀与缺陷钝化

同时保护银电极免受碘腐蚀并钝化钙钛矿界面缺陷，适用多种带隙器件。

Sun, Yonggui · Qianyi, Ma · Fei, Wang · Xiaokang, Sun · Wang, Taomiao · Zhou, Xianfang · Qiannan, Li · 段大伟 · Tao, Zhang · 黄晓西 · Haoran, Lin · 潘军 · 刘文柱 · Li, Jingbai · Ng Annie · Yang C. · 袁明鉴 · Wu, Tom · Hu Hanlin

InfoMat 2025

具体参数

光电转换效率（1.67 eV宽带隙）

{'zh': '22.69', 'en': '22.69'} %

光电转换效率（1.85 eV宽带隙）

{'zh': '18.60', 'en': '18.60'} %

认证光电转换效率

{'zh': '17.75', 'en': '17.75'} %

技术优势

电极不被碘腐蚀

BF₄⁻与Ag⁺配位形成抗腐蚀层，阻止碘引起的银降解，延长器件寿命。

一步完成缺陷钝化

BPY⁺与残留PbI₂反应原位生成1D钙钛矿覆盖层，钝化界面缺陷并抑制离子迁移。

宽带隙也能高效率

对1.67 eV和1.85 eV宽带隙电池分别实现22.69%和18.60%的效率，适用于叠层电池顶电池。

应用场景

• 钙钛矿太阳能电池：提升器件稳定性和效率，减少电极腐蚀带来的衰减。
• 宽带隙钙钛矿器件：提高宽带隙电池效率，用于叠层电池顶电池。
• 钙钛矿/硅叠层电池：稳定宽带隙子电池，提高叠层器件整体性能。