阶跃磁转变
采用Si-CMOS兼容工艺在400 °C以下合成，具有垂直磁各向异性和罕见的阶跃磁转变，为自旋电子学应用提供新颖的磁性二维材料。
Jiwei, Liu · 王聪 · 许建斌 · 季威 · Xu M. · 杨德仁
Advanced Materials 2025
圆片级合成
合成温度低于400 °C
垂直磁各向异性
阶跃状磁转变