高密度倒装芯片底部填充模型

揭示空隙形成机制

高保真实验与数值模型揭示了底部填充中空隙形成的三种机制，为优化工艺提供物理依据。

Erjun, Wu · Wang, Bo · Zhang, Shuai · Yu, Su · 陈晓东

Physics of Fluids 2024

技术优势

模型验证覆盖三种点胶方式

点式、I型线和L型线三种点胶场景均与实验对比，模型可预测不同填充模式。

量化接触角与粘度影响

结果表明接触角和粘度显著影响填充效率和界面演化，为参数选择提供依据。

识别三类空隙形成机制

观察到亚焊球、焊球和超焊球尺寸的空隙，揭示了不同流动机制，有助于缺陷控制。

低粘度替代流体加速仿真

使用低粘度替代流体可提高数值模拟效率，缩短设计优化周期。

应用场景

• 倒装芯片封装：用验证的模型优化底部填充工艺，提升封装良率。
• 微流控：研究微尺度两相流动与界面演化。
• 光刻制造：填充行为模拟可类似地用于光刻工艺的微流动控制。
• 存储技术：高密度存储器件封装中的底部填充缺陷控制。