置位快至650 ps
用TiO₂作为介质层，在GST相变存储器中实现了650 ps的置位速度，是目前最快的相变存储器，速度可媲美DRAM。
Rui Zhe, Zhao · Ke, Gao · Rongjiang, Zhu · Zhuo Ran, Zhang · He, Qiang · 徐明 · Yu, Niannian · 童浩 · 缪向水
InfoMat 2024
在相变存储单元中采用TiO₂介质层，置位速度达到650 ps，是目前已报道PCM中的最快值。
650 ps的置位速度可与商用DRAM的编程速度相比，为PCM用作高速缓存铺平道路。
TiO₂的八面体配位构型能提供形核界面，促进GST在特定界面区域快速结晶。
四方TiO₂(110)面上的Ti-O四元环有助于GST非晶基体中的快速原子重排，是实现超快操作的关键。