低应力氮化铝晶体

超低应力无裂

热场流场协同控制，应力分布均匀，生长出的晶圆无裂纹。

Chen, Jiahao · Jiamin, Chen · Chuhao, Yang · Yuheng, Du · Hao, Yang · Wang, Zeren · Zhang, Huangshu · Yuchun, Xu · 李铮 · Hailong, Wei · Jiahua, Zhang · 戴伦 · 吴洁君 · Yu, Tong Jun

Crystal Growth & Design 2025

技术优势

应力低且均匀

热场和流场的协同控制使晶体生长过程中热应力整体降低且分布均匀，避免了局部应力集中。

晶圆无裂纹

采用该策略生长的晶圆未出现裂纹，满足了衬底应用对完整性的要求。

设计有据可依

模拟的等效应力与实验测得的裂纹密度呈正相关，为工艺优化提供了可量化的参考。

应用场景

• 宽禁带半导体衬底：无裂纹低应力衬底可减少外延层缺陷，提升器件良率。
• 深紫外光电器件：晶体完整性高，有利于降低深紫外器件的非辐射复合损耗。
• 高功率电子器件：低应力衬底提高了晶圆在高温高功率工况下的机械可靠性。