EG/SiOC@C多孔吸波结构

全X波段吸收

通过直接墨水书写与原位气相自沉积在结构表面形成富碳包覆层,协同增强导电损耗与界面极化,实现薄层宽带强吸收。

Wei, Lai · Li, Jing · Zhang, Shuai · Zhou, Yawen · Li, Bo · 70719224 · Lai, Wei

Ceramics International 2023

参数信息

最小反射损耗
-59.31 dB
有效吸收带宽
4.2 GHz

技术优势

薄层实现强吸收

在2.8 mm厚度下达到−59.31 dB的最小反射损耗,无需增大厚度即可获得高效吸收。

覆盖整个X波段

在3.1 mm厚度下有效吸收带宽达4.2 GHz(8.2–12.4 GHz),完全覆盖X波段,满足宽带应用。

表面碳层增强损耗

原位气相自沉积形成的富碳包覆层含有大量sp²碳,通过Si–C键与基体结合,提高导电损耗和界面极化。

应用场景