高d₃₃无铅压电单晶

室温d₃₃=662 pC/N

利用四方-赝立方相界与八面体有序-无序倾斜转变协同增强压电响应，性能优于多数无铅压电材料。

Jia-Lin, Niu · 魏永星 · Yanghuan, Deng · Changpeng, Guan · 靳长清 · Zhang, Leiyang · Jing, Ruiyi · 扬中 · Jian, Zengyun · 戴中华 · Xi, Zengzhe · Burkovsky, Roman G. · 靳立

Advanced Powder Materials 2026

具体参数

峰值压电系数
{'zh': '920', 'en': '920'} pC/N
局域c/a比
{'zh': '1.01', 'en': '1.01'}

技术优势

无铅也达高d₃₃

组成驱动的四方-赝立方相界与八面体倾斜转变协同作用，使无铅单晶室温 d₃₃ 达到 662 pC/N，可替代部分铅基材料。

宽温域内稳定输出

单晶在室温至~92 °C均表现出优异压电性能，峰值 d₃₃ 达 920 pC/N，适合变温工况。

电场可调控相结构

原位XRD证实电场可诱导赝立方相转变为四方相，赋予材料动态响应能力。

应用场景