单层Cr₂Se₃铁磁半导体

Tc 230 K 创纪录

独特的五层Se–Cr–Se–Cr–Se原子结构同时引入面内与面外超交换作用，突破二维铁磁半导体居里温度瓶颈。

Shipeng, Lu · He, Zhonglin · Pan, Yinping · Zhiqiang, Guo · Yang, Yichen · Wu, Fan · Song, Yekai · Zhuojun, Li · Liu, Zhongkai · Liu, Zhengtai · 沈大伟 · 陈磊 · 马衍东 · Tang, Shujie · 谢晓明

Advanced Functional Materials 2024

技术优势

居里温度高达230 K，创二维铁磁半导体新纪录

通过MBE合成单层Cr₂Se₃，具有五层Se–Cr–Se–Cr–Se原子结构

ARPES和MFM确认铁磁相变，STS和ARPES确认半导体特性