界面热膨胀匹配
通过超快高温冲击实现C/C复合材料与TC4钛合金的连接,剪切强度较传统方法提升2.4倍,同时缓解了异质结构中的残余应力。
Jingkang, Zhang · Yan, Yaotian · Zilong, Zhang · Yong, Xia · Ye, Zhenyu · 王斌 · Li, Peixin · Wang, Pengcheng · 林景煌 · Butt, Hassaan Ahmad · Krasnikov, Dmitry V. · Nasibulin, Albert G. · Jinchun, Tu · 曹健 · 亓钧雷
Ceramics International 2024
焦耳加热形成非平衡温度场,TC4金属端温度远低于C/C复合材料端,冷端自限效应抑制了金属在异质界面附近的热膨胀,从而缓解残余应力。
最优接头剪切强度达到31.7 MPa,是传统连接方法的2.4倍。
表面选择性氧化仅需30秒,连接步骤仅需20秒,远快于传统长时间保温工艺。
表面选择性氧化在C/C复合材料表面形成环形间隙,增大了填充合金与基体的接触面积,同时抑制裂纹扩展。