GaInAs/AlInAs超晶格

480 °C退火优化晶体质量

该超晶格经480 °C慢退火优化后,晶体质量与表面平整度显著提升,可用于量子级联激光器二次外延波导层。

Shiya, Zhang · Zhu, Lianqing · Zhang, Dongliang · Xian-Tong, Zheng · Jintao, Cui · Ruixin, Gong · Shuhao, Du · 陈拓 · 李明宇

Vacuum 2024

参数信息

退火温度
480 °C

技术优势

退火条件明确

研究确定了最优慢退火温度为480 °C,为该超晶格的后处理提供了具体指导。

表面更平整

通过AFM等表征确认了退火后表面光滑度得到改善,有利于后续外延生长。

多种表征验证

AFM、XRD、XPS和PL等综合手段验证了退火效果,确保结果可靠。

应用场景