高栅电容可编程
具有定向离子通道的介电单晶，介电常数23.3，可实现非易失、非破坏性的电子态调控，支持多功能二维电子器件。
Li, Zexin · 徐祥 · Wang, Haoyun · 刘腾 · 路号 · Wu, Jinsong · 刘开朗 · 高亮 · 翟天佑 · 周兴
Nature Communications 2026
在约 25 nm 厚度下介电常数仍达 23.3，有利于提高栅控能力并降低工作电压。
基于该介电材料的 MoS2 晶体管开关比高达 10^9，漏电流低至 10^-14 A，适合低功耗逻辑应用。
通过定向离子通道实现 Cl⁻ 离子的可控迁移，在不损伤结构的情况下完成准金属态与半导体态的切换，保持时间超过 3000 秒。
仿生离子通道使神经形态器件集成图像存储、处理和识别功能，仅 5 个训练周期内识别准确率从 80.7% 提升至 90.9%。