超低开关能耗
高结晶度可转移铁酸铋薄膜可与二维材料集成，实现具有极低开关能耗和非易失存储的铁电场效应晶体管。
Zhu, Chaoyi · 李翌 · 聂越峰 · Ji, Dianxiang · Chai, Yang
ACS Nano 2025
薄膜矫顽场仅30 kV/cm，漏电流低于10⁻⁵ A/cm²，使开关能耗降至0.05 J/cm³。
通过不同器件结构（MFS与MFMIS）在同一材料上分别实现易失性和非易失性FeFET，为多功能存储提供可能。
MFS型FeFET功耗仅1.5 fJ bit⁻¹ μm⁻²，MFMIS型为11.2 fJ bit⁻¹ μm⁻²，适用于低功耗设备。