BN掺杂硅胶封装料

耐高压陡脉冲

掺入2%六方氮化硼可在不牺牲导热和热稳定性的前提下显著提升封装绝缘的击穿电压。

Su, Dazhi · Zhiqian, Liu · Hengxin, Zhong · 唐炬 · 曾福平

Polymer Degradation and Stability 2025

参数信息

击穿电压提升

39.99 %

最佳BN掺杂浓度

2 %

技术优势

击穿电压提升近四成

BN 掺杂提高了交联密度并使结构更致密，从而提升击穿电压。

高陡度脉冲下表现更优

在 100 V/ns 的高电压上升率下，改善效果更加明显。

协同提升导热和热稳定性

在 2% BN 掺杂量下，绝缘性能、热稳定性和导热性同时得到提升。

应用场景

• 功率模块封装：直接用作高压功率模块的灌封绝缘，无需额外分散工艺。
• 宽禁带器件：满足下一代碳化硅、氮化镓器件对高 dV/dt 耐受的封装需求。
• 高压绝缘材料：在保持导热和热稳定性的同时，显著提升封装绝缘耐压能力。