p-GaN高电子迁移率晶体管

强电磁环境下更耐损伤

这种p-GaN HEMT通过优化栅极长度，在强辐射场下减缓温升、延迟击穿，为航空航天电子系统提供更好的电磁防护。

马振洋 · Dexu, Liu · 段照斌 · Yicheng, Li · Jiahao, Liu · Meng, Xie

IEEE Sensors Journal 2024

技术优势

击穿时间随p-GaN长度增加而延长

电场分布更稀疏

温度急剧积累到击穿的时间占器件寿命的1/4