二维半导体闪存ADC

高线性低功耗

该3位闪存ADC采用二维半导体实现,通过材料、工艺与电路设计协同优化,显著降低非线性度,适用于低功耗物联网设备。

Dong, Xiangqi · Yuxuan, Zhu · 刘翔宇 · Jieya, Shang · 孙正杰 · Zhejia, Zhang · Haojie, Chen · Gou, Saifei · 郭静 · 汪莹 · 陈洪雷 · 吴晨健 · 包文中

Science Bulletin 2025

具体参数

微分非线性度
0.072 LSB
积分非线性度
0.128 LSB
功耗
3.36 μW