SiC@RGO多孔薄膜

屏蔽35.6 dB、反射仅2.8 dB

两步还原法制备,厚度从20增至200 μm,添加SiC晶须实现高屏蔽、低反射的电磁干扰屏蔽。

李劲 · Yiquan, Qi · Shi-Xiang, Zhao · 邱瀚迅 · 杨俊和 · 杨光智

Xinxing Tan Cailiao/New Carbon Materials 2024

参数信息

总屏蔽效能
75.1 dB
反射屏蔽效能
2.7 dB
总屏蔽效能
35.6 dB
反射屏蔽效能
2.8 dB
薄膜厚度
200 μm

技术优势

膨胀快

固体微波辐照仅3秒即可产生气体,将薄膜从约20微米膨胀到200微米,形成多孔结构。

高屏蔽低反射

GO/SiC质量比4:1时,总屏蔽效能达到35.6 dB而反射仅2.8 dB,大部分电磁波被吸收而不是反射。

可叠加增强

与碳纳米管纸叠成多层结构后,厚度约1.5毫米时总屏蔽效能提高到75.1 dB,反射仍只有2.7 dB。

应用场景