MXene-Si-MXene探测器

1%采样率出清图

这种范德华金属-半导体-金属光电探测器利用MXene薄膜引入协同光门控效应,在850 nm下实现超越商用雪崩光电二极管的增益带宽积,为单像素成像提供免滤波电路的高信噪比探测。

Chen, Wang · Yunbo, Lu · Haolan, Xu · Jialu, Xu · Xin, Wang · Yaqi, Zhao · Siyi, Xie · 许高斌 · Ma, Yuanming · 马孟超 · 于永强

Advanced Optical Materials 2025

参数信息

光电导增益
7.2e3
增益带宽积
1.45 GHz
信噪比
72.3 dB
重建图像信噪比
32.1 dB
采样率
1 %

技术优势

增益带宽积高

MXene薄膜引入协同光门控效应,光电导增益大幅提升,GBP达1.45 GHz,满足高分辨率高速成像需求。

免滤波电路

高增益和高信噪比使探测器可直接输出高质量信号,省去附加滤波电路,简化单像素成像系统。

信噪比创纪录

单像素成像信噪比达72.3 dB,为迄今报道最高值,超过部分近红外阵列探测器,确保图像清晰度。

低采样率成像

仅1%采样率即可重建512×512像素图像,大幅减少测量次数,提升成像速度。

应用场景