自空穴掺杂SnSe取向薄膜

600 K功率因数5.9

后硒化工艺同时实现载流子浓度提升与准层状结构，突破本征SnSe低功率因数限制。

Xue, Yuli · Wang, Qing · Zhi, Gao · 钱鑫 · 王江龙 · 闫国英 · 陈明镜 · 赵立东 · 王淑芳 · 李志亮

Science Bulletin 2023

参数信息

沿面内方向功率因数

约5.9 µW cm⁻¹

最大功率密度

约83 µW cm⁻²

最大功率密度

约838 µW cm⁻²

技术优势

载流子浓度提升至约10¹⁸ cm⁻³