Bi2O3合金化Ga2O3薄膜

带隙收窄至4.78 eV

通过Bi2O3合金化实现带隙收窄与空穴自陷能降低,为双极功率器件奠定基础。

Fatima, Matar · Shi, Yingli · Francis Chi Chung, Ling · Amar K., Salih · Irvine, Curtis P. · De Silva, K. S. B. · Phillips, Matthew R. · Ton-That, C.

Journal of Alloys and Compounds 2023

具体参数

带隙从
4.97 eV
空穴自陷发射的激活能仅
32 meV
电激活能
~26 meV