GaN缓冲层受体陷阱

关态漏电更低

通过缓冲层受体陷阱的工程化位置和浓度，为AlGaN/GaN HEMTs提供了调控击穿电压的潜在方法。

Maodan, Ma · 曹艳荣 · Hanghang, Lv · Zhiheng, Wang · Xinxiang, Zhang · Chuan, Chen · Linshan, Wu · 吕玲 · 郑雪峰 · Wenchao, Tian · 马晓华 · 郝跃

Micromachines 2023

技术优势

关态漏电流降低

击穿电压最终趋于饱和

Access-S区域单独掺杂可获得最小且最线性的漏电流

Access-S区域掺杂使击穿电压增加更具可控性