高结晶ReS₂单层膜

Na⁺吸附降能垒

利用钠辅助CVD策略突破了铼基TMDs面外生长的瓶颈，实现了高结晶度单层膜的可靠制备。

Yunwei, Yang · Xiaodong, Zhang · Du, Zhengwei · Zhao, Yibin · Liu, Mingyan · Li, You · Shaolong, Min · 黄呈熙 · Cheng, Zhan · 吴芳 · 曾华凌 · 万逸 · Erjun, Kan

Applied Physics Letters 2023

具体参数

速率决定步骤能垒降低

{'zh': '0.325', 'en': '0.325'} eV

技术优势

能垒更低

Na⁺吸附使速率决定步骤能垒降低0.325 eV，促进Re-Re链形成。

电学性能优

基于钠辅助合成的ReS₂单层FET器件展现出优异的电学性质。

应用场景

• 柔性电子器件：利用其原子级厚度与高结晶性，构建柔性FET等逻辑单元。
• 各向异性光电器件：基于ReS₂的面内各向异性，实现偏振敏感的光电探测。
• 新型电极材料：将高结晶ReS₂用于离子嵌入/脱出电极，提升储能稳定性。
• 电催化剂：利用其边缘和层间丰富的活性位点，催化析氢等反应。