等离子体改性聚酰亚胺膜

150 °C击穿场强355.88 MV/m

采用环保反应离子刻蚀表面处理，通过形貌与化学键合协同调控，在高温下同时提升击穿强度和储能效率，兼容半导体产线工艺，为高温薄膜电容器商业化提供可行方案。

Sen, Ren · Wang, Yaogong · 邱岩 · 张博雅 · Yixuan, Li · Chenxi, Liu · Pang, Lixia · 周迪 · Yongdong, Li

Chemical Engineering Journal 2026

具体参数

击穿场强

{'zh': '355.88', 'en': '355.88'} MV m⁻¹

储能密度

{'zh': '3.24', 'en': '3.24'} J cm⁻³

储能效率

{'zh': '74', 'en': '74'} %

技术优势

高温击穿强度高

通过调控表面形貌和化学键合状态，增强了本征击穿强度，使聚酰亚胺膜在150 °C下击穿场强达到355.88 MV m⁻¹。

储能性能提升

在350 MV m⁻¹的高场强下，储能密度达到3.24 J cm⁻³，且长时间运行储能效率保持超过74%。

成本低可扩展

该处理方案与现有半导体生产线工艺兼容，成本更低且可扩展。

应用场景

• 高温薄膜电容器：提供高温下高击穿场强和储能密度的介质膜，提升电容器在高温环境下的可靠性。
• 半导体工艺兼容：可直接集成到现有半导体产线，无需额外设备改造，降低量产门槛。
• 介电材料表面工程：通过反应离子刻蚀调控表面形貌和化学键，从根源解决表面击穿问题。
• 航空航天电气绝缘：在高温等严苛条件下保持优异绝缘性能，满足航空航天对高可靠绝缘材料的需求。