导电MOF突触

10 mV驱动 · 1 fW功耗

利用二维导电MOF的亚纳米孔道与高密度氧化还原中心，首次在两端子电解质突触中实现10 mV超低压、1 fW功耗和最长保留时间。

卫欢欢 · Liu, Jiaqi · Ni, Yao · Hu, Xuanxin · Lv, Xiuliang · Lu, Yang · 何刚 · Xu, Zhipeng · 龚江东 · Jiang, Chengpeng · Feng, Dawei · 徐文涛

Nano Letters 2024

具体参数

工作电压
{'zh': '10', 'en': '10'} mV
功耗
{'zh': '1', 'en': '1'} fW

技术优势

功耗极低

器件功耗约1 fW，适合大规模神经形态网络。

保留时间创纪录

在所有两端子电解质型人工突触中保留时间最长。

可调塑性

亚纳米孔与不同阳离子的匹配实现多样的突触可塑性。

应用场景