PIN-PMN-PT单晶

电场下分级畴切换

弛豫铁电体畴结构的精确调控，为铁电存储与纳米电子器件提供性能可设计的单晶材料。

李凯 · Zheng, Huashan · Qi, Xudong · Huo, Da · Fan, Jinhui · Zhenting, Zhao · Wang, Ting · 赵军峰 · Li, Jiaming · 孙恩伟 · 龚伟平 · 杨彬

Ceramics International 2023

参数信息

180°畴切换主导电压
<10 V
单畴化电压
80 V

技术优势

低压调控畴结构

在低于10 V的电场下即可通过180°畴的形核与生长实现极化翻转，有利于低功耗器件操作。

单畴态可达

在80 V偏压下完成90°畴切换，样品达到单畴态，有利于获得均匀的宏观性能。

畴结构可裁剪

通过控制偏压大小和加载路径，可选择性地激活180°或90°畴切换，实现畴结构的按需设计。

应用场景