垂直耦合Fe3GaTe2/CrSBr异质结

Zhou, Jiayuan; Yang, Chen; Huanghuang, Cheng; Söll, Aljoscha; Hou, Xingyuan; Shan, Lei; Sofer, Zdeneˇk B.; Yang, Mengmeng; Yue, Yang; Tian, Mingliang; Gao, Wenshuai; Jiang, Yuxuan; Fang, Yong; Liu, Xue

垂直耦合Fe3GaTe2/CrSBr异质结

2K下交换偏置1730 Oe

自旋正交排布带来可调交换偏置，为二维自旋电子器件提供新途径。

Zhou, Jiayuan · Yang, Chen · Huanghuang, Cheng · Söll, Aljoscha · Hou, Xingyuan · 单磊 · Sofer, Zdeneˇk B. · Yang, Mengmeng · Yue, Yang · 田明亮 · 高文帅 · Jiang, Yuxuan · 房勇 · Liu, Xue

ACS Nano 2025

具体参数

偏置场高: 1730 Oe

技术优势

低冷却场下出现正交换偏置

通过非对称场扫描实现零场冷却交换偏置的可控符号与大小