晶圆表面粗糙度降75%
一种利用巨电流变流体实现晶圆局部定点抛光的新方法，可针对性地修复局部误差并显著改善表面质量。
Haihong, Ai · 王昆 · Jiajun, Lin · 熊小敏 · Zhanshan, Wang
International Journal of Advanced Manufacturing Technology 2025
通过定点抛光，晶圆局部区域的表面粗糙度 Ra 从 400 nm 降至 100 nm，表面质量改善 75%，能够有针对性地修复晶圆制造过程中的局部误差。
通过仿真和实验确定了稳定的抛光参数组合：绝缘板宽于工具电极、主轴转速低于 40 rpm、电压 2000 V、抛光间隙 0.3 mm，确保抛光过程稳定可靠。