磁流变动压抛光装置

高效超光滑平坦化

该装置通过磁流变液在动态间隙下产生抛光力，实现对光电晶片的高效超光滑平坦化，解决了传统抛光方法难以兼顾效率与表面质量的难题。

Luo, Bin · Long, Zhang · 阎秋生 · ZhenHua, Jiao · Fu, Youzhi · Luo, Jinxing

International Journal of Advanced Manufacturing Technology 2025

参数信息

表面粗糙度

0.091 nm

材料去除率

17.56 nm/min

技术优势

高效超光滑兼顾

在2Hz频率、1.5mm振幅下实现材料去除率17.56 nm/min和表面粗糙度Ra 0.091 nm，表明该方法能同时满足高效率和高表面质量。

工艺参数可预测

建立了基于流体动压润滑理论和接触力学的正抛光和材料去除率模型，可有效预测不同间隙变化频率和振幅下的抛光性能。

适用于光电晶片

该方法能够对光电晶片进行高效超光滑平坦化，满足高性能器件对极低表面和亚表面损伤的需求。

应用场景

• 晶圆平坦化：对光电晶片实现超光滑平坦化，满足极低表面损伤要求。
• 光电晶片基板处理：为光电晶片基板提供高效无损的抛光处理。