ITO量子阱

二阶极化率高20倍

原子级薄ITO量子阱,非线性响应远超传统铌酸锂晶体,为光子芯片信号处理提供可用方案。

Zhang, Yiyun · Gao, Bingtao · Lepage, Dominic · Tong, Yuanbiao · 王攀 · Junru, Niu · Yiming, Feng · 陈红胜 · 钱浩亮

Nature Nanotechnology 2024

具体参数

Second-order susceptibility
~1,800 pm V⁻¹
晶体高
20 倍