超低电阻面积积
利用石墨烯/Ni(111)界面的强自旋过滤效应，在自底向上生长的纳米结中实现可器件化的隧穿磁阻。
Qiu, Weicheng · Fuze, Jiang · Peng, Junping · Pan, Mengchun · 李裴森 · 胡佳飞 · Hu, Yueguo
ACS Applied Materials & Interfaces 2024
电阻×面积积极低，有利于降低器件功耗并提高集成度。
完美的Ni(111)/石墨烯界面产生强自旋过滤效应，是隧穿磁阻的主要来源。
采用纳米图形技术成功制备纳米结阵列，为器件化应用奠定基础。