6%应变下半金属带隙增25%，TMR增220%
该异质结构能在无外部修饰条件下诱导CrI₃单层呈现本征半金属性，且法向压缩应变可有效调控其自旋极化输运。
Song, Yanxing · 柴常春 · 樊庆扬 · 张薇 · Yintang, Yang
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics 2023
异质结界面效应使CrI₃本征地呈现半金属性，不依赖电场、掺杂或化学修饰。
6%法向压应变使平衡隧穿磁电阻提升220%，增强了自旋电子器件的性能。
选择MnGeSe₃或MnGeTe₃可分别获得空穴导电或电子导电的半金属，适用于不同器件架构。