PtSe₂相变掺杂层

寿命延长33倍

利用Ar等离子体诱导PtSe₂从本征半导体转变为金属相，实现100纳米分辨率可控掺杂，可精确调控晶体管横向电场，显著降低沟道自热并抑制短沟道效应。

Jialei, Miao · Liang, Tian · 张恒 · Wu, Yuyang · Wu, Shaoxiong · Xiaolei, Ding · 车仁超 · Hu, Huan · 徐阳 · 俞彬 · Dianyu, Qi · Liu, Zheng · Chen, Wenchao · Chai, Yang · Zhao, Yuda

ACS Nano 2025

具体参数

电流密度

{'zh': '245.5', 'en': '1'} μA/μm

接触电阻

{'zh': '264', 'en': ''} Ω·μm

寿命比欧姆接触晶体管长

{'zh': '33', 'en': ''} 倍

掺杂空间分辨率

{'zh': '100', 'en': ''} nm