FeSiBCr/SiO₂非晶软磁复合材料

耐蚀高频低损耗

该复合材料通过双硅源工程形成均匀SiO₂绝缘层,同时显著提升耐腐蚀性并保持优异的高频磁性能。

Mengyi, Zhao · Zhaoyuan, Liu · 李红霞 · Wenhan, Zhang · 李忠 · Zhang, Erpan · Rong, Huawei · Zhao, Rongzhi · Zhang, Xuefeng

Journal of Materials Science and Technology 2026

参数信息

有效磁导率
22.6
直流偏置
87.7 %
截止频率
1.4 GHz
功率损耗
183.58 mW/cm³

技术优势

耐腐蚀不牺牲磁性能

SiO₂绝缘层提高界面电位、抑制电子释放和阳极氧化,并增强疏水性隔离腐蚀介质,从而在腐蚀环境中保持优异磁性能。

高频稳定性好

有效磁导率在452 MHz内保持22.6,满足高频应用需求。

直流偏置特性强

直流偏置达到87.7%,有利于在直流叠加场合保持磁导率。

应用场景