多指标优化
通过混合使用Si IGBT和SiC MOSFET器件并优化调制策略，实现损耗与成本之间更好的平衡。
国琪 · 侯玉超 · 涂春鸣 · Zhi, Zhou · Huaying, Zhang · Lei, Yu · 王雷 · 姜飞 · 王鑫
IEEE Transactions on Transportation Electrification 2024
低频半桥子模块使用Si IGBT承担导通损耗优势，三相耦合高频模块混合使用SiC MOSFET发挥开关损耗优势，高低频器件各司其职。
提出的倍频混合调制策略在降低损耗的同时，保证了高输出波形质量。
与现有拓扑的综合对比证明，该拓扑能够更好地平衡成本与效率等性能指标。